仪器名称 |
超高分辨场发射扫描电镜 |
国别及厂家 |
美国，Thermofisher |
投入日期 |
2019.03 |
规格型号 |
Verios G4 UC |
仪器负责人 |
陈志鑫 汪婷 |
联系电话 |
18960853219 |
安放地址 |
阳光楼南109 |
性能参数 |
1. 二次电子分辨率：0.6 nm@15kV; 0.6nm@2kV; 0.7nm@1kV;1.0nm@0.5kV; 1.2nm@0.2kV 2. 放大倍率：40 ～ 900,000 3. 加速电压：0.2kV ～ 30 kV 着陆电压：20V ~ 30kV 电子束流：0.8pA ～ 100nA 4. 能谱：EDAX: Octane Elect Super |
主要应用 |
可获得纳米材料表面形貌的二次电子像、背散射电子像，实现低电压高分辨成像，并可进行EDS能谱分析， |
样品要求 |
1．送检样品必须为干燥固体、表面清洁。 2．应有一定的化学、物理稳定性，在真空中及电子束轰击下不会挥发或变形；无毒、无放射性和无腐蚀性； 3．样品不得为具有磁性的粉末，并且不易被磁化，粉末中不得含有铁（Fe）、钴（Co）、镍（Ni）。 4．对含水份较多的生物样品，要求先固定、清洗、脱水及用醋酸(异) 戊酯置换等处理，最后进行临界点干燥处理。 5．样品应具有导电性。若样品不导电，需要进行镀金、碳等导电膜的处理 6. 尺寸不大于50*50*15mm。 |
面向学科 |
其广泛应用于材料、化学化工、机械、医学等领域 |
其他说明 |
700 eV 着陆能量下成像的 TiO₂ 纳米管上的 MoS₂ 薄片
1 kV 下成像的介孔二氧化硅 |
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