国别及厂家

美国/赛默飞世尔电子科技有限公司

投入日期

2019年4月

规格型号

Helios G4 CX

仪器负责人

周巧琴、林建航、张新奇

联系电话

周巧琴13706960805、林建航13705959546、

张新奇18094011393

安放地址

阳光科技大厦南110

性能参数

1、电子束二次电子分辨率：0.8 nm@15kV; 1.2nm@1kV; 1.0nm@1kV（电子束减速模式）;

电子束加速电压：200v -30kV； 电子束着陆电压：20v -30kV； 电子束流：0.8pA - 100nA

2、离子束分辨率：4.0nm@30kV;离子束加速电压：500v -30kV； 离子束束流：0.1pA - 60nA

3、放大倍率：x18 - x800,000

4、能谱仪分辨率：优于127eV

5、EBSD相机像素分辨率：640（H）*480（V）；扫描和指标化速度：1400点/秒

6、冷台温度范围：-25°C­+55°C

主要应用

1、纳米材料形貌像分析、材料微区域EDS能谱成分分析、EBSD电子背散射衍射晶体取向分析，其广泛应用于材料、化学化工、机械、生物、医学等领域。

2、可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳图形结构。高质量定点TEM样品制备。离子束刻蚀、离子束沉积；高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。

样品要求

1、送检样品必须为干燥固体、表面清洁。

2、应有一定的化学、物理稳定性，在真空中及电子束轰击下不会挥发或变形。

3、无毒、无放射性、无腐蚀性且不带磁性。

4、对含水份较多的生物样品，要求先固定、清洗、脱水及用醋酸(异)戊酯置换等处理，最后进行临界点干燥处理。

5、一般情况下，样品尺寸尽量小些(< 10x10x5mm较佳)。

面向学科

应用于材料、物信、化学化工、机械、生物、医学、农学等学科

其他说明

一、 表面形貌图

二、 能谱元素分析图

三、

EBSD电子背散射衍射晶体取向分析

四、定点制备TEM样

五、微纳加工制备截面等