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超高分辨率场发射扫描电子显微镜

信息来源: 暂无 发布日期: 2019-05-05 浏览次数:

 

仪器型号

Verios G4 UC

生产厂家

美国 FEI公司

投入日期

2019年

管理人员

陈志鑫  汪婷  郑春明  

   

0591-22863872

安放地址

福州大学国家大学科技园阳光科技大厦南109

性能参数

二次电子分辨率:0.6 nm@15kV; 0.6nm@2kV; 0.7nm@1kV;1.0nm@0.5kV; 1.2nm@0.2kV
放大倍率:40 ~ 900,000
加速电压:0.2kV ~ 30 kV
着陆电压:20V ~ 30kV
电子束流:0.8pA ~ 100nA

仪器主要用途

纳米材料形貌像分析以及材料微区域EDS能谱分析,其广泛应用于材料、化学化工、机械、医学等领域。

送样要求

1.送检样品必须为干燥固体,表面清洁;
2.应有一定的物理、化学稳定性,在真空中及高能电子束轰击下不会挥发或变形;
3.无毒、无放射性、无腐蚀性、无磁性;
4.尺寸不大于50*50*15mm。

面向学科

材料、物理、化学、生物、化工、能源、机械、信电、光仪等

 

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