仪器型号
Verios G4 UC
生产厂家
美国 FEI公司
投入日期
2019年
管理人员
陈志鑫 汪婷 郑春明
电 话
0591-22863872
安放地址
福州大学国家大学科技园阳光科技大厦南109
性能参数
二次电子分辨率:0.6 nm@15kV; 0.6nm@2kV; 0.7nm@1kV;1.0nm@0.5kV; 1.2nm@0.2kV 放大倍率:40 ~ 900,000 加速电压:0.2kV ~ 30 kV 着陆电压:20V ~ 30kV 电子束流:0.8pA ~ 100nA
仪器主要用途
纳米材料形貌像分析以及材料微区域EDS能谱分析,其广泛应用于材料、化学化工、机械、医学等领域。
送样要求
1.送检样品必须为干燥固体,表面清洁;2.应有一定的物理、化学稳定性,在真空中及高能电子束轰击下不会挥发或变形;3.无毒、无放射性、无腐蚀性、无磁性;4.尺寸不大于50*50*15mm。
面向学科
材料、物理、化学、生物、化工、能源、机械、信电、光仪等
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