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双束场发射扫描电子显微镜

信息来源: 暂无 发布日期: 2019-05-05 浏览次数:

 

仪器型号

Helios G4 CX

生产厂家

美国 FEI公司

投入日期

2019年

管理人员

周巧琴  林建航   

   

0591-22863872

安放地址

福州大学国家大学科技园阳光科技大厦南110

性能参数

电子束二次电子分辨率:0.8 nm@15kV, 1.2nm@1kV,1.0nm@1kV(电子束减速模式)
放大倍率:x18 - x800000
电子束加速电压:200v -30kV
电子束着陆电压:20v -30kV
电子束流:0.8pA - 100nA
离子束分辨率:
4.0nm@30kV
离子束加速电压:500v -30kV
离子束束流:0.1pA - 60nA
能谱仪分辨率:优于127eV

仪器主要用途

1.纳米材料形貌像分析、材料微区域EDS能谱成分分析、EBSD电子背散射衍射晶体取向分析,其广泛应用于材料、化学化工、机械、生物、医学等领域。
2.可用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳图形结构。高质量定点TEM样品制备。离子束刻蚀、离子束沉积;高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。

送样要求

1.送检样品必须为干燥固体、表面清洁。
2.应有一定的化学、物理稳定性,在真空中及电子束轰击下不会挥发或变形。
3.无毒、无放射性、无腐蚀性且不带磁性。
4.对含水份较多的生物样品,要求先固定、清洗、脱水及用醋酸(异) 戊酯置换等处理,最后进行临界点干燥处理。
5.一般情况下,样品尺寸尽量小些(< 10x10x5mm较佳)。

面向学科

材料、物理、化学、生物、化工、能源、机械、信电、光仪等

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